上海贝岭产品在高压电机驱动系统的应用选型

发布时间：2026-07-10 12:42:05 来源：励嘉国际展览(北京)有限公司 作者：时尚

上海贝岭自2018年战略布局工控和储能市场以来，上海持续深耕光伏储能、贝岭伺服变频、产品工业电源、高压BMS、电机电动工具、驱动电动车等核心领域，系统型致力于为客户提供高性价比的用选半导体产品与系统解决方案。

公司产品涵盖电源管理、上海信号链产品和功率器件3大产品领域，贝岭依托功率器件、产品电源管理、高压接口芯片、电机隔离器、驱动存储器、系统型马达驱动、数据转换及标准信号八大产品线，全面构建模拟和数模混合产品解决方案平台。在高压电机驱动领域，公司产品覆盖率可达80%以上。

图1：高压电机驱动典型框图

主功率链产品介绍

在高压电机驱动主功率链中，上海贝岭可提供650V全系列IGBT以及栅极驱动产品配套：

① 650V10A~75A系列IGBT产品

基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的H4代产品工艺，采用3um pitch的微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，获得良好Vcesat-Eoff折衷，以及优秀的短路能力；终端采用优化的“FLR+场板技术”，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

该系列提供3个版本产品：

1低频版

先进的正面结构设计，可以实现Vge≤15V，tsc=5us的短路能力，以及足够低的Vcesat，推荐应用频率2~25kHz，目前已在高压伺服、工业缝纫机、跑步机等市场批量应用

2低频版plus

通过正面结构设计的进一步优化，实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，以及Vcesat typ=1.55V，对变频器等电机驱动应用提供更匹配的应用支持

3高频版

通过良好的Vcesat-Eoff折衷特性，可以支持客户最高60kHz的应用频率需求

650V 10A~75A系列IGBT产品图片（封装形式）

② 650V80A~200A系列IGBT产品

基于贝岭G3 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的H5代和H7代产品工艺，采用更加先进的1.6um pitch微沟槽工艺，正面结构通过“Gate沟槽+E短接沟槽+dummy 沟槽”3种沟槽的设计比例优化，背面采用优化的H FS工艺，获得足够低的Vceast和良好的开关损耗，满足电机驱动应用所需的短路能力；终端采用优化的“VLD技术”，在提高芯片有效面积占比的同时，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

该系列提供3个版本产品：

1低频版

Vcesat_typ=1.5V，可以实现Vge≤15V，tsc=3us的短路能力，推荐应用频率2~25kHz

2高频版

Vcesat_typ=1.5V，推荐应用频率：20~30kHz，推荐应用领域：光伏储能，工业焊机

3特高频版

Vcesat_typ=1.6V，推荐应用频率：30~50kHz，推荐应用领域：充电桩，工业电源，工业焊机

为满足不同客户需求，该系列产品还可以提供低频版plus的定制化需求（实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，Vcesat typ=1.5V）。

650V80A~200A系列IGBT产品图片（封装形式）

③ 栅极驱动产品-SA3626A/BL2601A

SA2636A 是一款最高耐压650V的全桥驱动器，用于驱动三相系统中的MOSFET或IGBT。其低侧兼容3.3V逻辑控制，提供300mA/600mA的拉灌电流能力。芯片集成欠压锁定及可调电阻过流检测功能，故障时立即关断所有开关并输出错误信号，内置290ns死区时间以提升系统安全性。

BL2601A是一款高压半桥栅极驱动芯片，专为驱动双NMOS或IGBT设计，工作电压可达600V。芯片内置VCC/VBS欠压保护（UVLO），输入兼容3.3-15V逻辑，上下管延时匹配典型50ns，提供+0.3A/-0.6A的驱动能力，采用SOP8封装。

高压电机驱动系统全链路芯片一站式选型指南

在高压电机驱动系统中，除了核心的主功率变换链，高效的电源管理和精确的信号处理同样是确保系统稳定、可靠运行的关键环节。上海贝岭凭借全面的模拟芯片产品线，可为此提供完整的配套解决方案：其电源管理芯片（如PWM控制器、DC-DC转换器、LDO及稳压器）为系统中的控制电路、传感器和接口提供稳定、洁净的各级供电；而信号链芯片（包括隔离接口、运算放大器、EEPROM等）则负责实现关键的信号隔离、调理、通信与数据存储功能。二者与主功率链协同工作，共同构筑高性能、高集成度的电机驱动平台。

图2：高压电机驱动系统上海贝岭器件选型表

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