飞虹MOS管FHP170N1F4A的特点与参数

在5G电源、飞虹车载逆变器、特点参UPS等高效能电源系统中，飞虹工程师常选用IPP045N10N3G、特点参HYG045N10NS1B、飞虹STI150N10F7等MOS管作为功率开关器件。特点参

随着国产半导体技术的飞虹成熟，飞虹半导体推出的特点参FHP170N1F4A型号场效应管，不仅具备与上述多款场效应管型号兼容的飞虹电气参数，更在导通电阻和开关性能方面表现出色，特点参成为国产替代的飞虹优秀选择。

为什么FHP170N1F4A能替代IPP045N10N3G、特点参HYG045N10NS1B、飞虹STI150N10F7多款MOS管型号在电路设计中使用呢？特点参

因为FHP170N1F4A作为一款性能优异的国产N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的飞虹SGT工艺，具备以下对设计有利的特点：

极低的导通电阻（RDS(on)典型值3.6mΩ）、低栅极电荷（Qg典型值90nC）、开关速度快、100%经过Rg测试、极低的FOM(RDSON*Qg)、100%经过雪崩测试、100%经过热阻测试。

当然除了产品具备的优良特点外，FHP170N1F4A其还具备优良的参数：

Vds：100V

Id（连续）：172A（硅极限）/120A（封装极限），高于STI150N10F7的110A

Idm（脉冲）：480A

RDS(on)典型值：3.6mΩ(@Vgs=10V)，优于HYG045N10NS1B的4.5mΩ

Qg典型值：90nC，低于IPP045N10N3G的117nC

Vgs(±V)：20；VGS(th)：2.0-4.0V

反向传输电容：33pF

TO-220封装：便于安装散热器，适用于中大功率电源模块

基于上述的良好特点与参数，因此FHP170N1F4A可完美替代IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等多款MOS管型号。并用于5G电源、12-24V车载逆变器、48V工频逆变器、AC-DC开关电源、DC/DC转换器、UPS、户外储能电源、BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等产品。

除参数适合外，飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。